三星宣布 3nm 芯片成功流片：采用 GAA 架构，性能优于台积电

6 月 29 日晚间消息，据外媒报道，三星宣布，3nm 制程技术已经正式流片。据介绍，三星的 3nm 制程采用的是 GAA 架构，性能优于台积电的 3nm FinFET 架构。

报道称，三星在 3nm 制程的流片进度是与新思科技合作完成的，目的在于加速为 GAA 架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的 3nm 制程采用不同于台积电或英特尔所采用的 FinFET 的架构，而是采用 GAA 的结构。因此，三星采用了新思科技的 Fusion Design Platform。

在技术性能上，GAA 架构的晶体管能够提供比 FinFET 更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力得以强化，借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。

此次流片是由 Synopsys 和三星代工厂合作完成的。此前，三星曾在 2020 年完成 3nm 工艺的开发，但开发成功并不意味着，三星的产品最终进入量产的时间可以确定。伴随着此次成功流片，三星 3nm 芯片大规模量产的时间节点已经正式临近。

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